تولید انبوه تراشه های ذخیره فلش جهانی

به گزارش تاسیسات نیوز، سامسونگ تولید انبوه تراشه های ذخیره فلش جهانی (eUFS) را آغاز کرده که باید ظرفیت ذخیره تلفن های همراه آینده را تا بیش از 512 GB افزایش دهد. تراشه ها می توانند تراکم ذخیره سازی را در همان مقدار فضای فیزیکی دستگاه های قبلی دو برابر کنند.

 

سامسونگ وسایل V-NAND را برای چند سال گذشته تولید کرده است که مجموعه های سه بعدی از تراشه های ذخیره فلش است. این وسیله جدید از هشت تراشه V-NAND 64 لایه و یک تراشه کنترلر ساخته می شود که ظرفیت ذخیره سازی Eufs را تا 512 گیگابایت افزایش می دهد. این ابزار ظرفیت ذخیره مدل قبلی که 48 لایه داشت را دو برابر می کند.

 

برای مثال یک کاربر می تواند حدود 1300 دقیقه فیلم 4K را روی وسیله ای که با eUFS جدید ساخته شده ذخیره کند که حدود 10 برابر بیشتر از چیزی است که می تواند روی یک گوشی سامسونگ Galaxy S8 جای گیرد.

 

eUFS جدید می تواند با سرعت های خواندن حداکثر 860 MB/s سریع تر بخواند و بنویسد و با سرعت های حداکثر 255 MB/s بنویسد. این بدان معناست که یک فایل ویدئویی 5 گیگابایتی به یک SSD حدود 6 ثانیه منتقل شود. تکنولوژی مدیریت برق هم در وسیله جدید به روز شده است تا افزایش مصرف انرژی به حداقل برسد.

 

 

 

 

 

 

انتهای خبر